| 专利名称 | 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 | 申请号 | CN201010162332.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101834229A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 肖海波;曾湘波;谢小兵;姚文杰;彭文博;刘石勇 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 至一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。 |
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