| 专利名称 | 一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法 | 申请号 | CN201010159044.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101834227A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张戎;郭旭光;曹俊诚 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法 至一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布，同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域，从而提高器件的性能，优化其响应率，对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。 |
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