| 专利名称 | 一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法 | 申请号 | CN200910111243.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101834009A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 曹永革;黄常刚;王美丽 | 主分类号 | H01B5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B5/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;C03C17/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法 至一种低铟掺杂量氧化锌透明导电膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用铟掺杂氧化锌透明导电膜材料及其制备方法。该方法采用多靶共溅磁控溅射技术，采用氧化锌陶瓷靶和铟金属靶共溅的方法，在普通碱玻璃及石英玻璃衬底上制备出具有多晶结构的ZnO:In透明导电膜。工艺条件为：氩气和氧气混合工作气体压强为0.2～2.0Pa，氧气与氩气体积比为0～0.2，氧化锌靶及铟靶溅射功率分别为50～200W和5～40W，衬底温度为室温～500℃，偏压为0～-200V。制得的透明导电膜中铟原子数含量低至2％，具有很好的导电性能，在400～1100nm透过率大于90％，可替代ITO广泛应用于太阳能电池和平板显示等领域。 |
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