| 专利名称 | 非接触式晶片厚度测量装置及方法 | 申请号 | CN200910199928.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101709952 | 公开（授权）日 | 2010.05.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈晓静;魏彦锋;张传杰;徐庆庆;孙瑞赟 | 主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 非接触式晶片厚度测量装置及方法 至非接触式晶片厚度测量装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内，测试过程非接触，从而不会导致晶片被污染和氧化，晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤，保证晶片的干净与表面完美，避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤，提高了外延片的成品率。 |
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