利用表面等离子体远程激发单光子源的方法

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专利名称 利用表面等离子体远程激发单光子源的方法 申请号 CN200910236247.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101702047 公开(授权)日 2010.05.05 申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 魏红;李敬;徐红星 主分类号 G02B6/122(2006.01)I IPC主分类号 G02B6/122(2006.01)I;G02B6/10(2006.01)I 专利有效期 利用表面等离子体远程激发单光子源的方法 至利用表面等离子体远程激发单光子源的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种利用表面等离子体远程激发单光子源的方法,具体为:制备一维表面等离子体纳米波导;将单光子源放置在距离纳米波导1~100nm的位置上;将激光聚焦在纳米波导一端,以激发纳米波导的表面等离子体,并使其沿纳米波导传播;利用纳米波导中传播的表面等离子体将能量转移到单光子源上,以激发单光子源发光。本发明通过等离子体纳米波导对单光子源进行远程激发,由于光在纳米波导中以表面等离子体的形式传播,在单光子源处,等离子体将能量转移到单光子源,从而将单光子源激发,可以极大地降低激发光造成的噪音干扰。另外,在一定条件下金属纳米结构对单光子源的发光有增强作用,因而可以提高单光子源的发光效率。

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