| 专利名称 | MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法 | 申请号 | CN200910198656.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101704497 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈骁;罗乐 | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法 至MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的单腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域内有一条环状的腐蚀槽。所述的环状腐蚀槽的宽度为玻璃浆料密封环宽度的1.3-1.5倍。所述腐蚀槽的深度为8-12μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，硅盖板上用刻蚀工艺刻蚀出环状的腐蚀槽阵列，然后丝网印刷机定位印刷到硅盖板的单腐蚀槽内，然后与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于单腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高气密封装的成品率。 |
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