| 专利名称 | 一种磁光电流传感器及其制造方法 | 申请号 | CN200910183929.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101672870 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 焦新兵;蒋春萍 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I;G01R15/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁光电流传感器及其制造方法 至一种磁光电流传感器及其制造方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种磁光电流传感器及其制造方法，包括沿光路设置的光 源、起偏器、磁光传感单元、检偏器及方位探测器，其中该磁光传感单元为保 护层、永磁薄膜和磁光材料层叠生长结构；制造时，首先制备清洁、干燥的磁 光材料，然后在真空条件下对磁光材料生长永磁薄膜，再在永磁薄膜上生长 SiN或SiO2薄膜保护层，最后利用永磁机对磁光传感单元的永磁薄膜进行充 磁。本发明利用永磁薄膜，使得光路通过的磁场强度大、平行度好，有效增大 了偏振光的旋转角，提高了传感器的感应精度。此外，该磁光电流传感器的光 路元件少，系统设计更简便，可靠性更高。 |
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