| 专利名称 | 产生中性粒子束的装置及方法 | 申请号 | CN201110288064.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102290314A | 公开（授权）日 | 2011.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H05H3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 产生中性粒子束的装置及方法 至产生中性粒子束的装置及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种产生中性粒子束的装置，包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板，所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部，所述上网板设置在所述等离子源上方，所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网板、绝缘板及下网板；所述上网板和所述下网板分别连接一直流偏压，所述中网板接地。本发明还公开一种产生中性粒子束的方法。根据提供的产生中性粒子束的装置及方法，使正、负离子等不同粒子都能实现中性化提高了离子的中性化效率，保证了混合气体中的不同种离子都会产生相应的刻蚀作用，适应了不同气体组合，以满足不同刻蚀工艺的要求。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障