| 专利名称 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法 | 申请号 | CN201210255704.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790144A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 田超;梁静秋;梁中翥;王维彪 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 专利有效期 | 一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法 至一种单面电极结构的AlGaInP-LED集成微显示器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，步骤包括：在所述器件本体上刻蚀出多条相互交叉的第一沟槽；在所述沟槽的底部生长下电极金属层，形成下电极金属层；在所述下电极上方生长绝缘介质层；下电极图形外的下电极金属层区域进行腐蚀，向下腐蚀至N型衬底层的一定深度，形成多个第二沟槽；向第二沟槽内和下电极的保护介质上方处填充不透明光阑；在所述发光单元上方制作上电极；并电铸上、下电极引线。本发明提出的平面电极结构LED阵列微显示器件的制作方法，可以避免正、背面分别做电极带来的工艺困难，制作的微显示器件具有异面垂直的双条形的上、下电极，可以得到较为均匀的电流分布，从而得到发光均匀的微显示器件。 |
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