| 专利名称 | 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 | 申请号 | CN201110129620.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102789984A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 至一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上形成保护层；去除位于所述衬底表面以上的填充层，以使得所述填充层仅保留在所述沟槽中；去除所述保护层。由于是通过淀积的方法，衬底和填充层的材料都不受限制，可以根据器件性能需求任意配置，具有通用性。此外，在保护层的掩盖下，沟槽内的填充层不会受到中间刻蚀工艺的损伤，保证了填充层的质量。 |
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