| 专利名称 | GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 申请号 | CN201210249553.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102790119A | 公开（授权）日 | 2012.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;杨辉 | 主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 至GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)GaAs或Ge的接触层。本发明还提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge衬底层；2）在Ge衬底层表面生长第一Ge子电池；3）在第一Ge子电池表面生长第一隧穿结；4）在第一隧穿结表面生长第二Ge子电池；5）在第二Ge子电池表面生长第二隧穿结；6）在第二隧穿结表面生长GaAs子电池；7）在GaAs子电池表面生长第三隧穿结；8）在第三隧穿结表面生长GaInP子电池；9）在GaInP子电池表面生长接触层。 |
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