| 专利名称 | 一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置 | 申请号 | CN201210350926.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102879754A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王慧贤;杨文晖;王铮;魏树峰;张晓兵 | 主分类号 | G01R33/62(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R33/62(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置 至一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于质子电子双共振成像的磁场循环装置，利用永磁体作为基础主磁场，利用电磁磁体产生偏置磁场。所述的永磁磁体（101）采用C型开放式结构；所述的电磁磁体（106）置于永磁磁体成像空间内，采用亥姆霍兹结构，由两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联连接；对偏置磁场采用主动屏蔽的方法来减小由磁场循环带来的涡流影响，主动屏蔽线圈（104）由上、下两个半径和匝数均相同的线圈同轴排列串联构成。同时本发明利用扫场的方式，确保电子的顺磁共振激发，扫场线圈采用亥姆霍兹结构，在成像区域产生均匀磁场，该均匀磁场在一个时间周期内随时间线性变化，以扫描射频脉冲激发电子顺磁共振所需的磁场环境。 |
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