| 专利名称 | 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构 | 申请号 | CN200910197499.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101694779A | 公开（授权）日 | 2010.04.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁晟;宋志棠 | 主分类号 | G11C8/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C8/08(2006.01)I;G11C5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构 至一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种存储器的选通方法及实现该方法的电路结构。所述存储器采用二极管作为选通器件，进行读写操作时，针对要操作的存储单元，给其位线施加操作脉冲、字线电压拉低；针对不要进行读写操作的，并与要操作单元处于同一字线的存储单元，给其位线施加一个高于字线电压的直流电压，以使得因为寄生三极管效应而产生的漏电流为零，从电路上彻底解决因为该漏电流而造成的串扰问题。上述高于字线电压的直流电压通过外围电路产生。 |
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