| 专利名称 | 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用 | 申请号 | CN201110186931.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867971A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院大连化学物理研究所;大连融科储能技术发展有限公司 | 发明（设计）人 | 张华民;曲超;张凤祥;刘波;史丁秦;王晓丽 | 主分类号 | H01M8/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01M8/02(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I;C08J9/42(2006.01)I;C08J7/12(2006.01)I;C08G77/50(2006.01)I | 专利有效期 | 硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用 至硅烷胍基复合阴离子膜以及制备和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硅烷胍基复合阴离子膜及其制备方法和应用，该类膜由具有重复单元的无序体型硅烷胍类聚合物制备而成，由于含有大量的易传导阴离子的胍基团，同时硅烷的保水能力也提高了膜的离子传导能力，使膜具有电导率高的特点；硅烷胍与其他非传导离子介质复合后，具有优良的膜尺寸稳定性和机械强度，提高了膜的化学和机械稳定性。 |
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