| 专利名称 | MOS器件版图批量化设计方法 | 申请号 | CN201110160075.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102831254A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李莹;毕津顺 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | MOS器件版图批量化设计方法 至MOS器件版图批量化设计方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种MOS器件版图批量化设计的方法，包括：确定栅极层的形状和尺寸；以栅极层为自变量，确定有源区层的形状和尺寸；以有源区层为自变量，确定注入层、阱层的形状和尺寸；以栅极层和有源区层为自变量，确定通孔的形状和尺寸；以及以通孔为自变量，确定金属层的形状和尺寸。依照本发明的MOS管结构批量化设计方法，解决器件尺寸要求较多、器件尺寸变量较多的情况下，高效完成大量版图设计的问题，从而降低人工设计版图过程中产生的错误率，并缩短版图设计时间。 |
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