| 专利名称 | 半导体量子阱中载流子浓度的测量方法 | 申请号 | CN201210275822.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102830260A | 公开（授权）日 | 2012.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李天信;黄文超;陆卫;夏辉;姚碧霂;李宁;李志锋 | 主分类号 | G01R19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R19/00(2006.01)I;G01Q60/00(2010.01)I | 专利有效期 | 半导体量子阱中载流子浓度的测量方法 至半导体量子阱中载流子浓度的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高，在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势；并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。 |
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