| 专利名称 | 混合沟道半导体器件 | 申请号 | CN201190000096.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202601603U | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 混合沟道半导体器件 至混合沟道半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 提供一种混合沟道半导体器件，包括：第一半导体层和覆盖在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层包括NMOS区域和PMOS区域，所述第一半导体层和第二半导体层中的一个对电子的传导率高于对空穴的传导率，所述第一半导体层和第二半导体层中的另一个对空穴的传导率高于对电子的传导率；第一栅极结构，形成于所述NMOS区域中第一半导体层和第二半导体层中对电子的传导率较高的一个上；第二栅极结构，形成于所述PMOS区域中第一半导体层和第二半导体层中对空穴的传导率较高的一个上；第一源区和第一漏区，形成于所述NMOS区域中第一栅极结构两侧的第二半导体层和第一半导体层内，掺杂类型为N型；第二源区和第二漏区，形成于所述PMOS区域中第二栅极结构两侧的第二半导体层和第一半导体层内，掺杂类型为P型。本实用新型提供了一种混合沟道半导体器件，减少沟道区域中的缺陷，改善器件性能。? |
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