| 专利名称 | 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法 | 申请号 | CN201110151804.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102820252A | 公开（授权）日 | 2012.12.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;薛忠营;王曦 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法 至一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法，利用体硅衬底外延压应变的SiGe层，采用键合工艺将SiGe层转移至热氧化的硅片上，该SiGe层，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用离子注入、退火等手段，使部分应变的SiGe弛豫，同时将应变传递到上方Si层中，从而形成应变Si材料，用作NMOSFET的沟道材料。本方法其工艺步骤简单，易于实现，能够同时为NMOSFET及PMOSFET提供高迁移率的沟道材料，满足了同时提高NMOSFET和PMOSFET器件性能的要求，为下一代的CMOS工艺提供潜在的沟道材料。 |
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