| 专利名称 | 一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法 | 申请号 | CN200810222328.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101677231 | 公开（授权）日 | 2010.03.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵以贵;李晶晶;朱效立;牛洁斌;刘明 | 主分类号 | H03H3/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H3/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法 至一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，该方法 是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母 版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图 形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。利用本发明，可以极大地 减小电极材料的背散射效应，得到纳米尺度的叉指换能器电极，进一步提 高声表面波器件的工作频率和性能。另外，还可以反复多次进行X射线曝 光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。 |
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