| 专利名称 | 低温晶片键合的方法 | 申请号 | CN200810222336.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101677057 | 公开（授权）日 | 2010.03.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 彭红玲;陈良惠;郑婉华;石岩;渠红伟;杨国华;何国荣 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 专利有效期 | 低温晶片键合的方法 至低温晶片键合的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将 单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机 物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和 InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理； 步骤3：将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真 空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气；步骤4： 对键合后的晶片进行减薄；步骤5：再对减薄后的晶片进行第二次热处理； 步骤6：最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。 |
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