一种双端口静态随机存取存储器单元

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专利名称 一种双端口静态随机存取存储器单元 申请号 CN200810222331.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101677016 公开(授权)日 2010.03.24 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 高雷声;周玉梅;蒋见花 主分类号 G11C11/413(2006.01)I IPC主分类号 G11C11/413(2006.01)I;G11C11/416(2006.01)I;G11C11/419(2006.01)I 专利有效期 一种双端口静态随机存取存储器单元 至一种双端口静态随机存取存储器单元 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种双端口静态随机存取存储器单元,包括:一写入电 路,具有两个作为传输门的PMOS晶体管,根据字线的控制信号,将来自 位线的输入数据信号写入;一数据存储电路,包括四个晶体管,由两个反 相器构成锁存电路,用于通过所述写入电路存储来自外部的输入数据信 号;一读取电路,包括两个NMOS晶体管,用于根据读选择控制信号, 读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。本发明提供的这种双端口静 态随机存取存储器单元,读操作和写操作的位置分开,因此能够互不干扰 地同时读写数据,同时又能在高速状态下工作。

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