| 专利名称 | 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法 | 申请号 | CN200810222329.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101676797 | 公开（授权）日 | 2010.03.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵以贵;刘明;牛洁斌 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 专利有效期 | 采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法 至采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用电子束直写曝光制作声表面波器件的方法，该 方法是利用电子束光刻在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立 图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。具体步骤包括：在压电 衬底上涂敷电子抗蚀剂；前烘；生长对电子束曝光背散射小的金属材料； 电子束直写曝光；去除金属层；显影；定影；生长叉指电极金属；剥离。 采用这种方法制作的叉指电极的边缘陡直，宽度控制好，可用于制作特征 线宽在500nm以下各种声表面波器件。这种方法具有工艺步骤少、简单、 稳定可靠的优点。 |
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