掺钕钼酸锂钡镧激光晶体及其制备方法和用途

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专利名称 掺钕钼酸锂钡镧激光晶体及其制备方法和用途 申请号 CN200810071783.7 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101676446 公开(授权)日 2010.03.24 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 王国富;宋明君;张莉珍 主分类号 C30B29/32(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/32(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 专利有效期 掺钕钼酸锂钡镧激光晶体及其制备方法和用途 至掺钕钼酸锂钡镧激光晶体及其制备方法和用途 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明激光晶体掺钕钼酸锂钡镧及其制备方法和用途。该方法采用 60~80at%Li2MoO4为助熔剂,降温速率为0.5~2℃/天,转速为5~30转/分钟, 生长出了高质量、较大尺寸的Nd3+:Li3Ba2La3(MoO4)8晶体。该晶体属单斜晶系, 具有C2/c空间群结构。该晶体是一种新型的激光晶体,易于产生1.06μm左右 波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事 等诸多领域中。

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