| 专利名称 | 一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 | 申请号 | CN200810071777.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101676441 | 公开（授权）日 | 2010.03.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 李广社;唐长林;李莉萍 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C01G53/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 至一种单层β相氢氧化镍二维纳米单晶片及其合成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米材料技术领域。该单晶片盐a-b平面生长，尺寸为近100nm， 厚度为c-轴方向，大小约为1个晶胞长度。单晶片表面清洁，无须其它衬底生长 且可以孤立稳定地存在。单层β-Ni(OH)2二维纳米单晶片采用水热方法制备。将 可溶性镍盐溶于无水乙醇中，然后加入强碱溶液，搅拌并让混合溶液在80～200℃ 反应，冷却后洗涤并干燥。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障