| 专利名称 | 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法 | 申请号 | CN200910196237.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101673755 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李宜瑾;凌云;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法 至使用复合结构二极管的相变存储器单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种使用复合结构二极管的相变存储器 单元及制备方法。所述相变存储器单元由复合结构二极管与存储单元构成。其基 本特征在于：使用了复合结构的二极管作为相变存储器的选通二极管，此二极管 由四层不同特性的半导体材料组成，通过离子注入、固相外延或者化学气相沉积 的方法制备。该方法制备的复合结构的二极管有产生的干扰电流小、驱动电流大 的特点，同时本发明的结构适用于高密度的相变存储器，采用CMOS工艺，成本 低。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障