| 专利名称 | 表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用 | 申请号 | CN200910079487.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101672786 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;王晓天;佘广为 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用 至表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及表面具有增强拉曼散射效应的活性基底及其制法和应用。本 发明的活性基底是用化学刻蚀的方法在单晶硅基片上制备出硅纳米线阵列， 在硅纳米线阵列的顶端制备出一种具有显著增强拉曼散射效应的形貌呈网状 的银纳米薄膜，从而得到由分布在单晶硅基片表面垂直定向站立排列的硅纳 米线阵列，及在垂直定向站立排列的硅纳米线阵列顶端的形貌呈网状的银纳 米薄膜构成的表面具有增强拉曼散射效应的活性基底；所述的网状的银纳米 薄膜是由直径大小为150～350nm的银纳米颗粒构成。本发明的活性基底可 检测出溶液中浓度为10-17mol/L的罗丹明6G分子，实现了溶液中超低浓度罗 丹明6G分子的检测。 |
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