| 专利名称 | 一种光电位移传感器及其制备方法 | 申请号 | CN200910308373.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101672624 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴茹菲;洪何清 | 主分类号 | G01B11/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01B11/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光电位移传感器及其制备方法 至一种光电位移传感器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种光电位移传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。所述光电位移传 感器包括激光器、光纤和位移刻度板，激光器安装于被测物体的主轴上，并可沿被测物体的 主轴进行运动；激光器产生的激光束通过光纤照射到位移刻度板上；位移刻度板上的位移刻 度由具有光电导效应的半导体材料制成，位移刻度板用于感应通过光纤传输的激光束，并产 生光电流。本发明光电位移传感器的结构简单紧凑、体积小、便于携带且测量精度相对传统 的位移传感器大幅度提高，由于采用光电技术实现了非接触式位移传感，可以延长传感器的 使用寿命，同时能够应用于微电子的大规模生产技术中，使得生产成本下降，传感器的价格 相对国外类似高端产品的价格低廉。 |
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