| 专利名称 | 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | 申请号 | CN201110064300.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157640A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 李璟;王国宏;魏同波;张杨;孔庆峰 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 专利有效期 | 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 至具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法，包括：采用金属有机化学气相沉积的方法，在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层，形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台，在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后，向蒸发台腔室中充入水汽，控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜，对GaN外延片进行刻蚀，形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极，在台面上制作N电极，完成器件制备。 |
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