| 专利名称 | 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 | 申请号 | CN200910196101.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101671538 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张泽芳;刘卫丽;宋志棠 | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K3/14(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 至一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氧化硅/氧化铈复合磨粒的制备方法，包括下列步骤：1)在硅溶胶中加 入有机添加剂，搅拌溶解，而后加入三价铈盐或四价铈盐制得分散液；2)将分散液置于带 有聚四氟内衬的高压釜中，密封后，加热反应；3)反应完毕后离心分离、提纯、烘干，最 终制得氧化硅/氧化铈复合磨粒。采用本发明制得的氧化硅/氧化铈核壳复合磨料中没有均 相成核的氧化铈粒子，该复合磨粒适用于超大规模集成电路和玻璃的化学机械抛光，其优 点是有效提高抛光去除率和选择比，并可以降低表面的粗糙度，消除划痕等缺陷。 |
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