| 专利名称 | 基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法 | 申请号 | CN200810239879.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101671020 | 公开（授权）日 | 2010.03.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;穆丽璇 | 主分类号 | C01B33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;C09K9/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法 至基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于一维纳米结构的荧光化学逻辑开关领域，特别涉及基于硅纳 米线的荧光化学逻辑开关及其制备方法。本发明的方法是将由气相沉积法制 备得到的硅纳米线进行表面处理，其表面处理是表面等离子体处理、激光照 射、离子表面轰击或用化学方法进行表面活化；然后在对表面处理过的干燥 的硅纳米线的表面进行修饰，在其表面共价修饰有逻辑开关功能的丹磺酰胺， 得到基于硅纳米线的荧光化学逻辑开关。本发明的基于硅纳米线的荧光化学 逻辑开关可用于制备体积更小、集成化程度更高的光化学逻辑器件。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障