| 专利名称 | 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 申请号 | CN200810119582.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101667716 | 公开（授权）日 | 2010.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 至一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其 制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型 GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量 子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)， 由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)， 出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR 材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制， 而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 |
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