| 专利名称 | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 申请号 | CN200810119581.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101667715 | 公开（授权）日 | 2010.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 渠红伟;郑婉华;刘安金;王科;张冶金;彭红玲;陈良惠 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 至一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器，属半导体光电子领 域。其特征在于，包括P型电极(1)，P型Si衬底(2)，金属键合层(3)， P型分布布拉格反射镜(DBR)(4)，氧化限制层(5)，有源区(6)，N 型DBR(7)，SiO2掩膜(8)，聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9)，N 电极(10)，光子晶体(11)，出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射 激光器中引入光子晶体，可增大氧化孔径，提高单模输出功率，同时采用 键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计， 便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离，改善器件热学特性，进 一步提高单模输出功率。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障