| 专利名称 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 | 申请号 | CN200910241919.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101707089 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王雷;马衍伟;齐彦鹏;王栋樑;张志宇;高召顺;张现平 | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 至一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种提高A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法，其特征是，在A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉，混合均匀后，将先驱粉压制成块，或填入金属管拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛下，经500-1100℃焙烧0.5-100小时，可以得到A1-xKxFe2As2(A＝Ba或Sr)块材或线带材。本发明有效提高了铁基超导体的上临界场和临界电流密度。 |
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