| 专利名称 | 相变存储材料及其制备方法 | 申请号 | CN201110033438.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157685A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;夏梦姣;饶峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储材料及其制备方法 至相变存储材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种相变存储材料及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；对Si-SbxTe1-x材料层及SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。相较于现有技术，本发明提供的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。 |
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