| 专利名称 | 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法 | 申请号 | CN200910226314.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101707215 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法 至一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障