| 专利名称 | 非对称半导体的结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010111063.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102157553A | 公开（授权）日 | 2011.08.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 非对称半导体的结构及其形成方法 至非对称半导体的结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非对称半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的栅堆叠，所述栅堆叠包括一个或多个栅介质层和栅电极层；形成在所述栅堆叠侧壁的侧墙；以及形成在所述衬底中，位于所述栅堆叠侧壁的源极和漏极；其中所述栅介质层在源极区一侧的等效氧化层厚度相对较低，在漏极区一侧的等效氧化层厚度相对较高。该半导体结构通过例子注入而使栅介质层两端的相对介电常数不同，从而导致源/漏极区单位面积电容不同，EOT不同，本发明可以满足漏极和源极不同的工作需要，最大限度地发挥漏极和源极的效率，从而整体上提高该半导体器件的工作性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障