| 专利名称 | 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法 | 申请号 | CN201110054010.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102163547A | 公开（授权）日 | 2011.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 黄寓洋;崔国新;殷志珍;张宇翔;冯成义;张耀辉 | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法 至一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出中央开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。 |
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