| 专利名称 | 一种制备石墨烯的方法 | 申请号 | CN201110026532.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102161482A | 公开（授权）日 | 2011.08.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 刘云圻;陈建毅;黄丽平;武斌;薛运周;耿德超;于贵 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备石墨烯的方法 至一种制备石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备石墨烯的方法。该方法，包括如下步骤：1)将基底在非氧化性气氛中升温至800-1200℃保持10-20分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的基底上进行反应，反应完毕关闭碳源，在非氧化性气氛下冷却到室温得到所述石墨烯。该石墨烯可以为离散的纳米薄片，也可以为连续的石墨烯膜。在石英基底上生长石墨烯可以直接用于高性能透明导电电极。在带有二氧化硅层的硅基底上生长石墨烯，不需要转移可直接用于电子器件组装，工艺简单，并且和现有半导体工业兼容。 |
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