| 专利名称 | 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 | 申请号 | CN200910199624.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101707188 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王曦;魏星;王湘;李显元;张苗;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 专利有效期 | 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 至采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 | 法律状态 | 专利申请或者专利权的恢复 | 说明书摘要 | 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。 |
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