| 专利名称 | 用电化学法制备超疏水表面工艺方法 | 申请号 | CN200810150857.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101665968 | 公开（授权）日 | 2010.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明（设计）人 | 周峰;吴伟词 | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;C25D11/24(2006.01)I;B05D5/08(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用电化学法制备超疏水表面工艺方法 至用电化学法制备超疏水表面工艺方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用电化学法制备超疏水表面工艺方法。本发明通过两步处 理工艺方法，即先电化学刻蚀再通过草酸阳极氧化来构造微纳米双重结构粗糙表 面，然后通过表面氟硅烷修饰来制备超疏水表面。本方法简单实用，所利用的电 化学刻蚀和阳极氧化技术都比较成熟，容易大规模生产，不污染环境。 |
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