| 专利名称 | 掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用 | 申请号 | CN200910151678.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101705518 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 苏良碧;徐军;李红军;周朋;喻军 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/04(2006.01)I | 专利有效期 | 掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用 至掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种掺Bi碱土硼酸盐晶体及其制备方法和应用，属于光学晶体领域。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体中，碱土金属为Ca、Sr、Ba；Bi离子掺杂浓度为0.1at％～6.0at％。本发明还进一步公开了掺Bi碱土硼酸盐晶体的制备与应用。本发明的掺Bi碱土硼酸盐晶体在近红外区域具有非常宽的发射光谱，可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 |
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