专利名称 | 一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置 | 申请号 | CN200910082793.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101707174 | 公开(授权)日 | 2010.05.12 | 申请(专利权)人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明(设计)人 | 丁耀根;丁海兵;孙小欣 | 主分类号 | H01J23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/00(2006.01)I;H01J25/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置 至一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种抑制多注速调管双间隙耦合腔π模振荡的装置,涉及微波电真空器件技术,包括耦合环,吸收腔,微波吸收材料,调谐螺钉,吸收腔内涂覆微波吸收材料,并设有耦合环。通过选择吸收腔的形状和尺寸、涂覆材料参数、耦合环的位置和尺寸,可有效地抑制多注速调管双间隙耦合腔输出电路中具有π模场形分布的高次模振荡,降低由该类模式引起的杂谱电平。本发明对具有双间隙耦合腔输出电路的多注速调管能够抑制π模振荡,降低杂谱电平。 |
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