| 专利名称 | 制备相变材料的溅射靶材的方法 | 申请号 | CN200910196760.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101665916 | 公开（授权）日 | 2010.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;陈邦明;宋三年 | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/34(2006.01)I;G11B9/04(2006.01)I | 专利有效期 | 制备相变材料的溅射靶材的方法 至制备相变材料的溅射靶材的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备相变材料的溅射靶材的方法，其首先将已使用过的具有孔隙的相变 材料溅射靶材通过抛光工艺去除其表面的氧化物和杂质，再采用去离子水清洗已经过抛光处 理的溅射靶材，接着将经过清洗后的溅射靶材放入真空炉中烘干，最后将与所述溅射靶材同 材质的靶材粉末填充在经过烘干的溅射靶材的孔隙中，然后再将所述溅射靶材放在真空热压 烧结炉中进行热压烧结以制备出新的相变材料的溅射靶材，如此可有效降低生产成本，避免 资源的浪费。 |
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