| 专利名称 | 镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN200810195830.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101665902 | 公开（授权）日 | 2010.03.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 杨金伶;段国韬;蔡伟平;刘培生 | 主分类号 | C23C14/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/04(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;G11B5/62(2006.01)I;G11C11/14(2006.01)I | 专利有效期 | 镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法 至镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种镍有序多孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜由镍有序多 孔阵列构成，阵列中的孔为正六边形或圆形，且呈六方周期排列，孔的对角 线或直径为650～1600nm、孔间距为200～1000nm、孔周期为1000～2000nm， 薄膜厚度为20～50nm、空隙率为60～90％； 方法为先将聚苯乙烯悬浮液置于 旋转的平面基底上，得到单层胶体晶体模板，再将模板置于温度为60～150℃ 下加热6～15min，之后，先将其置于氩气氛下用等离子体刻蚀6～100min， 再将其置于温度为60～150℃下加热0～15min，然后，先将处理过的模板置 于压力为1～9×10-5Pa、温度为900～1000℃下热蒸镀金属镍3～9h，再将其 置于二氯甲烷溶液中超声处理5～120s，制得薄膜。它可用于高密度磁存储 介质，以及传感器、隐形材料和高效催化剂等领域。 |
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