| 专利名称 | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 | 申请号 | CN200910197611.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101693719A | 公开（授权）日 | 2010.04.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 高希珂;狄重安;朱道本;刘云圻;李洪祥;姜标 | 主分类号 | C07D495/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D495/22(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 至以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物、制法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种以萘四羧酸二酰亚胺为核的硫杂共轭化合物及制法和应用，结构如下式所示：式中R为C1～C30正烷基或分支烷基。系在惰性气体保护下，2，3，6，7-四溴代萘四羧酸二酰亚胺与1，1-二氰基-2，2-二硫醇二钠盐在四氢呋喃中，于室温和40～60C分别反应0.5～2小时和0.5～1小时，硅胶柱层析得目标化合物，产率在50％～62％； 用溶液法制备的以该类化合物为有机半导体层的有机薄膜场效应晶体管，最高电子迁移率可达0.15cm2/Vs，开关比大于107，阈值电压低于15伏，其性能和环境稳定性均优于一般n-型有机半导体。 |
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