| 专利名称 | 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器 | 申请号 | CN200910197301.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101692456 | 公开（授权）日 | 2010.04.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 李雪;唐恒敬;方家熊;龚海梅;段微波;刘定权;张永刚 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器 至一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器，它由InP衬底、N型InP层、氮化硅钝化层、InGaAs吸收层、P型InP帽层、P电极区、中心波长在λ1的Si/SiO2滤光微结构薄膜、中心波长在λ2的Si/SiO2滤光微结构薄膜和P电极互连层和N电极区组成。滤光微结构是基于法布里-珀罗谐振腔结构设计的带通型滤光片，选用Si和SiO2作为高折射率(nH)材料和低折射率(nL)材料。本发明的优点：滤光片微结构直接生长在InGaAs探测器芯片上，避免了多波段之间可能存在的“串色”和杂散光的进入，同时有利于两个波段尽可能靠近，缩短对同一目标探测的时间延迟。 |
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