| 专利名称 | 一种冗余金属填充方法及装置 | 申请号 | CN201210430020.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102930159A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨飞;陈岚;马天宇 | 主分类号 | G06F19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F19/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种冗余金属填充方法及装置 至一种冗余金属填充方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种冗余金属填充方法及装置，用于解决现有技术中的冗余金属填充方法填充金属量较大的问题。包括：沿电路版图的一角，将电路版图划分为多个小区域；计算各小区域内金属块的体积占小区域的容积的比率，以得到各小区域的金属填充比率；计算各小区域的金属填充比率与其相邻的小区域的金属填充比率的差值；计算各小区域内的金属块的周长；按照各小区域的金属填充比率与其相邻小区域的金属填充比率的差值以及金属块的周长对各小区域进行冗余金属填充。该方法减少了冗余金属的填充量。 |
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