| 专利名称 | 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 | 申请号 | CN200910192094.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101691658 | 公开（授权）日 | 2010.04.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院广州能源研究所 | 发明（设计）人 | 徐刚;甄恩明;徐雪青;苗蕾 | 主分类号 | C23C20/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C20/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 至一种制备沿c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种设备及工艺简单的制备c轴取向生长的五氧化二钒薄膜的方法。具体步骤包括：(1)以二乙酰丙酮氧钒为原料，配制成溶胶；(2)以此溶胶为涂覆液，在清洗干净的衬底材料上，采用提拉涂膜法或者旋涂法成膜；(3)在含氧气氛中进行热处理。本发明具有工艺简单，可大面积制备，制备成本低廉等优点。所制备的五氧化二钒薄膜沿c轴方向生长，取向单一，有利于离子的嵌入与脱嵌，可改善锂离子电池阴极及电致变色器件的性能。 |
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