| 专利名称 | 非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法 | 申请号 | CN200910196795.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101691200 | 公开（授权）日 | 2010.04.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 熊斌;徐德辉;王跃林 | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法 至非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法，其特征在于所述低温真空封装的结构包括1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片；2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板；3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上，两者组成一个完整的非致冷红外探测器。本发明的制作是利用圆片级低温对准键合技术将包含红外敏感元件的硅衬底圆片与包含红外滤光薄膜的硅衬底圆片进行低温真空键合，实现了探测器红外滤光片与探测器的红外敏感元件制作工艺的集成。不仅可以保护红外敏感元件免受外界的污染和破坏，还通过圆片对准键合对红外探测器的红外敏感元件进行真空封装，提高了红外探测器的性能。 |
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