| 专利名称 | MOS-HEMT器件及其制作方法 | 申请号 | CN201110221372.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102916043A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;卢力;常虎东;孙兵 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | MOS-HEMT器件及其制作方法 至MOS-HEMT器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所述衬底上形成源极和漏极；依次刻蚀所述第一介质层、第一金属层、帽层和预设厚度的势垒层，形成栅沟槽；在所述衬底上形成第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面，且覆盖所述栅沟槽的底部及侧壁；在栅沟槽内填充栅极材料，从而形成栅极。本发明所提供的MOS-HEMT器件制作方法，可以通过光学光刻形成深亚微米尺寸的栅极，从而可提高生产效率、降低生产成本。 |
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